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STS7N3LLH6

STS7N3LLH6

참조 용

부품 번호 STS7N3LLH6
PNEDA 부품 번호 STS7N3LLH6
설명 MOSFET N-CH 30V 17A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,600
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS7N3LLH6 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS7N3LLH6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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STS7N3LLH6 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
FET 유형-
기술-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
공급자 장치 패키지-
패키지 / 케이스-

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1500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

106nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3720pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

890W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-268

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

AO3442

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

630mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3L

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

NTD3817NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

16V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.9mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

702pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.2W (Ta), 25.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

제조업체

IXYS

시리즈

Polar™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1207pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXTH)

패키지 / 케이스

TO-247-3

MVMBF0201NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

225mW (Ta)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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