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NXH80T120L2Q0S2G

NXH80T120L2Q0S2G

참조 용

부품 번호 NXH80T120L2Q0S2G
PNEDA 부품 번호 NXH80T120L2Q0S2G
설명 PIM 1200V, 80A TNPC CUSTO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,344
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NXH80T120L2Q0S2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NXH80T120L2Q0S2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
NXH80T120L2Q0S2G, NXH80T120L2Q0S2G 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 186.38 KB)
PDFNXH80T120L2Q0S2G 데이터 시트 표지
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  • NXH80T120L2Q0S2G Distributor

NXH80T120L2Q0S2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)57A
전력-최대125W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.85V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대)300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce19.4nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지18-PIM/Q0PACK (55x32.5)

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

225W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM50GP60GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.55V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF150R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

225A

전력-최대

1250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MKI50-12F7

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전력-최대

350W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

700µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E2

공급자 장치 패키지

E2

FS100R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

515W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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