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PMDT290UCE,115

PMDT290UCE,115

참조 용

부품 번호 PMDT290UCE,115
PNEDA 부품 번호 PMDT290UCE-115
설명 MOSFET N/P-CH 20V SOT666
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 344,952
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMDT290UCE 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMDT290UCE,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMDT290UCE, PMDT290UCE 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,072.4 KB)
PDFPMDT290UCE 데이터 시트 표지
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PMDT290UCE 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)800mA, 550mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs380mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.68nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds83pF @ 10V
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-666

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.3A (Tc), 5.3A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

535pF @ 15V, 528pF @ 15V

전력-최대

3.3W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SSM6N16FE,L3F

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.3pF @ 3V

전력-최대

150mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

ES6

SQJ941EP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 10V

전력-최대

55W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

NVMFD5853NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V

전력-최대

3W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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장착 유형

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