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PMGD175XNEX

PMGD175XNEX

참조 용

부품 번호 PMGD175XNEX
PNEDA 부품 번호 PMGD175XNEX
설명 MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 225,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

PMGD175XNEX 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMGD175XNEX
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
PMGD175XNEX, PMGD175XNEX 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 720.92 KB)
PDFPMGD175XNEX 데이터 시트 표지
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PMGD175XNEX 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)870mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs252mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.25V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.65nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds81pF @ 15V
전력-최대260mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지6-TSSOP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1510pF @ 10V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN-EP (2x5)

SQJ942EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc), 45A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.8A, 10V, 11mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.7nC @ 10V, 33.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

809pF @ 20V, 1451pF @ 20V

전력-최대

17W, 48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

SI1988DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

168mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.1nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

DMC2057UVT-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

416pF @ 10V, 536pF @ 10V

전력-최대

700mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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