PMWD26UN,518
참조 용
| 부품 번호 | PMWD26UN,518 |
| PNEDA 부품 번호 | PMWD26UN-518 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,176 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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PMWD26UN 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | PMWD26UN,518 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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PMWD26UN 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 700mV @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23.6nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1366pF @ 16V |
| 전력-최대 | 3.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-TSSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 21nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1233pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 90A Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 24-SMD, Gull Wing 공급자 장치 패키지 24-SMD |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 163A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22.5mOhm @ 81.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 492nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 22400pF @ 25V 전력-최대 1136W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 500mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 45pF @ 10V 전력-최대 280mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SC-89-6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 935µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
