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RB751V-40TE-17

RB751V-40TE-17

참조 용

부품 번호 RB751V-40TE-17
PNEDA 부품 번호 RB751V-40TE-17
설명 DIODE SCHOTTKY 30V 30MA UMD2
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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RB751V-40TE-17 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RB751V-40TE-17
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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PDFRB751V-40TE-17 데이터 시트 표지
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RB751V-40TE-17 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)30mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If370mV @ 1mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F2pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-90, SOD-323F
공급자 장치 패키지UMD2
작동 온도-접합125°C (Max)

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 150A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

4mA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AA, DO-8, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AA (DO-8)

작동 온도-접합

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 125A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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