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RQ6C065BCTCR

RQ6C065BCTCR

참조 용

부품 번호 RQ6C065BCTCR
PNEDA 부품 번호 RQ6C065BCTCR
설명 PCH -20V -6.5A MIDDLE POWER MOSF
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,726
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RQ6C065BCTCR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RQ6C065BCTCR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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RQ6C065BCTCR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs22nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1520pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TSMT6 (SC-95)
패키지 / 케이스SC-95-6

관심을 가질만한 제품

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-CP

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SI5401DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

IRF9520NSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPP80N04S3H4AKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 65µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3900pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

115W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

패키지 / 케이스

TO-220-3

AUIRF7478Q

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1740pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

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