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SFAF503G C0G

SFAF503G C0G

참조 용

부품 번호 SFAF503G C0G
PNEDA 부품 번호 SFAF503G-C0G
설명 DIODE GEN PURP 150V 5A ITO220AC
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,930
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SFAF503G C0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SFAF503G C0G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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SFAF503G C0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)150V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If975mV @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 150V
커패시턴스 @ Vr, F70pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack
공급자 장치 패키지ITO-220AC
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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Rohm Semiconductor

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

UMD2

작동 온도-접합

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Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

120pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

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UH1D-M3/61T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.05V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

17pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

S4KW10C-5N

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

10000V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

10V @ 12A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 10000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SDT06S60

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

200µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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