SI1029X-T1-E3
참조 용
| 부품 번호 | SI1029X-T1-E3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | SI1029X-T1-E3 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET N/P-CH 60V SOT563F | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Siliconix | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 3,955 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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SI1029X-T1-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI1029X-T1-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI1029X-T1-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 305mA, 190mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 30pF @ 25V |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-89-6 |
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