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SI1557DH-T1-E3

SI1557DH-T1-E3

참조 용

부품 번호 SI1557DH-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SI1557DH-T1-E3
설명 MOSFET N/P-CH 12V 1.2A SC70-6
제조업체 Vishay Siliconix
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SI1557DH-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI1557DH-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI1557DH-T1-E3, SI1557DH-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 134.83 KB)
PDFSI1557DH-T1-E3 데이터 시트 표지
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SI1557DH-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.2A, 770mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs235mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대470mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-70-6 (SOT-363)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

113A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 4mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

197nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3800pF @ 1000V

전력-최대

500W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP3

SI5944DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 20V

전력-최대

10W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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