SI7270DP-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SI7270DP-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI7270DP-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,786 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 20 - 6월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI7270DP-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI7270DP-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI7270DP-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.8V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 21nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 15V |
| 전력-최대 | 17.8W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A, 2.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 15V 전력-최대 840mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 공급자 장치 패키지 TSOT-23-6 |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 48pF @ 5V 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 17pF @ 10V, 36pF @ 25V 전력-최대 330mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 IXYS 시리즈 TrenchMV™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 112A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 152nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7600pF @ 25V 전력-최대 150W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 ISOPLUSi5-Pak™ 공급자 장치 패키지 ISOPLUSi5-Pak™ |
