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SI7270DP-T1-GE3

SI7270DP-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI7270DP-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI7270DP-T1-GE3
설명 MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
제조업체 Vishay Siliconix
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SI7270DP-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI7270DP-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI7270DP-T1-GE3, SI7270DP-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 331.33 KB)
PDFSI7270DP-T1-GE3 데이터 시트 표지
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SI7270DP-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs21nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds900pF @ 15V
전력-최대17.8W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지PowerPAK® SO-8 Dual

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

210pF @ 25V

전력-최대

1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

공급자 장치 패키지

Micro8™

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchMV™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

112A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

152nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

150W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

QJD1210SA2

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 34mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8200pF @ 10V

전력-최대

415W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

NX6020CAKSX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 10V, 36pF @ 25V

전력-최대

330mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

BSO604NS2XUMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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