SIL2301-TP
참조 용
| 부품 번호 | SIL2301-TP |
| PNEDA 부품 번호 | SIL2301-TP |
| 설명 | P-CHANNEL,MOSFETS,SOT23-6L PACKA |
| 제조업체 | Micro Commercial Co |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 279,462 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIL2301-TP 리소스
| 브랜드 | Micro Commercial Co |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIL2301-TP |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SIL2301-TP 사양
| 제조업체 | Micro Commercial Co |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 405pF @ 10V |
| 전력-최대 | 350mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23-6L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1630pF @ 10V 전력-최대 5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 12-SIP 공급자 장치 패키지 12-SIP w/fin |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 62V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 250pF @ 25V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 22A Rds On (최대) @ Id, Vgs 420mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 186nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5200pF @ 25V 전력-최대 390W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 775pF @ 10V 전력-최대 620mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-TDFN (2x2) |
