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SLA5064

SLA5064

참조 용

부품 번호 SLA5064
PNEDA 부품 번호 SLA5064
설명 MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP
제조업체 Sanken
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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SLA5064 리소스

브랜드 Sanken
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SLA5064
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SLA5064, SLA5064 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 396.52 KB)
PDFSLA5064 데이터 시트 표지
SLA5064 데이터 시트 페이지 2 SLA5064 데이터 시트 페이지 3

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SLA5064 사양

제조업체Sanken
시리즈-
FET 유형3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)10A
Rds On (최대) @ Id, Vgs140mOhm @ 5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds460pF @ 10V
전력-최대5W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스12-SIP
공급자 장치 패키지12-SIP w/fin

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61.5nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 800V

전력-최대

167W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRF7379TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

EFC6617R-TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

CCS050M12CM2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-FET™ Z-Rec™

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

87A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.810nF @ 800V

전력-최대

337W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

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