SLA5064
참조 용
| 부품 번호 | SLA5064 |
| PNEDA 부품 번호 | SLA5064 |
| 설명 | MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A 12-SIP |
| 제조업체 | Sanken |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 15,174 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SLA5064 리소스
| 브랜드 | Sanken |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SLA5064 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SLA5064 사양
| 제조업체 | Sanken |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 5A, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 460pF @ 10V |
| 전력-최대 | 5W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 12-SIP |
| 공급자 장치 패키지 | 12-SIP w/fin |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 170mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.43nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 17pF @ 10V 전력-최대 220mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N Channel (Phase Leg) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 143A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 2mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 360nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5960pF @ 1000V 전력-최대 600W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-Rec® FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 29.5A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 98mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 1mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 61.5nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 800V 전력-최대 167W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 305mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 50mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 400mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-26 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18.5mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3000pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
