SSM3J15CT(TPL3)
참조 용
| 부품 번호 | SSM3J15CT(TPL3) |
| PNEDA 부품 번호 | SSM3J15CT-TPL3 |
| 설명 | MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,712 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM3J15CT(TPL3) 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM3J15CT(TPL3) |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM3J15CT(TPL3) 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | π-MOSVI |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12Ohm @ 10mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | - |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 100mW (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | CST3 |
| 패키지 / 케이스 | SC-101, SOT-883 |
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제조업체 Global Power Technologies Group 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 645pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 32.9W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220F 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
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