SSM6J213FE(TE85L,F
참조 용
부품 번호 | SSM6J213FE(TE85L,F |
PNEDA 부품 번호 | SSM6J213FE-TE85L-F |
설명 | MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 7,254 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택) |
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SSM6J213FE(TE85L 리소스
브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SSM6J213FE(TE85L,F |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM6J213FE(TE85L 사양
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
시리즈 | U-MOSVI |
FET 유형 | P-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.6A (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.7nC @ 4.5V |
Vgs (최대) | ±8V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 10V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
작동 온도 | 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | ES6 |
패키지 / 케이스 | SOT-563, SOT-666 |
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