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STGWA80H65DFB

STGWA80H65DFB

참조 용

부품 번호 STGWA80H65DFB
PNEDA 부품 번호 STGWA80H65DFB
설명 IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $65.3713
50 ---------- $62.3070
100 ---------- $59.2427
200 ---------- $56.1784
400 ---------- $53.6249
500 ---------- $51.0713
재고 있음 4,304
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STGWA80H65DFB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWA80H65DFB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWA80H65DFB, STGWA80H65DFB 데이터 시트 (총 페이지: 22, 크기: 1,458.74 KB)
PDFSTGY80H65DFB 데이터 시트 표지
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STGWA80H65DFB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
전력-최대469W
에너지 전환2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지414nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C84ns/280ns
테스트 조건400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)85ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 Long Leads

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

전력-최대

540W

에너지 전환

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/320ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

AOD7B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 7A

전력-최대

69W

에너지 전환

108µJ (on), 99µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

14nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/79ns

테스트 조건

400V, 7A, 43Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

212ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

STGD10NC60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

62W

에너지 전환

55µJ (on), 85µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

IXGM20N60A

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

2mJ (on), 2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/600ns

테스트 조건

480V, 20A, 82Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-204AE

공급자 장치 패키지

TO-204AE

SKB10N60AATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 10A

전력-최대

92W

에너지 전환

320µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

52nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/178ns

테스트 조건

400V, 10A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

220ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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