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STS1DN45K3

STS1DN45K3

참조 용

부품 번호 STS1DN45K3
PNEDA 부품 번호 STS1DN45K3
설명 MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,470
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 31 - 1월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS1DN45K3 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS1DN45K3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS1DN45K3, STS1DN45K3 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 437.79 KB)
PDFSTS1DN45K3 데이터 시트 표지
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STS1DN45K3 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH3™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds150pF @ 25V
전력-최대1.3W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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PowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.3A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1W, 1.25W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

PHN210T,118

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTUD3170NZT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.5pF @ 15V

전력-최대

125mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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