STS1DN45K3
참조 용
| 부품 번호 | STS1DN45K3 |
| PNEDA 부품 번호 | STS1DN45K3 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,470 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STS1DN45K3 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STS1DN45K3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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STS1DN45K3 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | SuperMESH3™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 450V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.8Ohm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.3W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 400µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 830mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
