TK40A10N1,S4X
참조 용
| 부품 번호 | TK40A10N1,S4X |
| PNEDA 부품 번호 | TK40A10N1-S4X |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 11,868 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TK40A10N1 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TK40A10N1,S4X |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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TK40A10N1 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVIII-H |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 500µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3000pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 35W (Tc) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220SIS |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 Full Pack |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 550pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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