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TPCF8402(TE85L,F,M

TPCF8402(TE85L,F,M

참조 용

부품 번호 TPCF8402(TE85L,F,M
PNEDA 부품 번호 TPCF8402-TE85L-F-M
설명 MOSFET N/P-CH 30V 4A/3.2A VS-8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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TPCF8402(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPCF8402(TE85L,F,M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TPCF8402(TE85L, TPCF8402(TE85L 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 268.74 KB)
PDFTPCF8402(TE85L 데이터 시트 표지
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TPCF8402(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A, 3.2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds470pF @ 10V
전력-최대330mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SMD, Flat Lead
공급자 장치 패키지VS-8 (2.9x1.5)

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 30V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 32V

전력-최대

1.39W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 5.4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.42V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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