TRS8E65C,S1Q
참조 용
| 부품 번호 | TRS8E65C,S1Q |
| PNEDA 부품 번호 | TRS8E65C-S1Q |
| 설명 | DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,910 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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TRS8E65C 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | TRS8E65C,S1Q |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
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TRS8E65C 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Silicon Carbide Schottky |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 650V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 8A (DC) |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.7V @ 8A |
| 속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 0ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 90µA @ 650V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 44pF @ 650V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-2 |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-2L |
| 작동 온도-접합 | 175°C (Max) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Micro Commercial Co 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 Axial, Radial Bend 공급자 장치 패키지 A-405 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 550mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 1mA @ 30V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-215AA, SMB Gull Wing 공급자 장치 패키지 DO-215AA 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 SWITCHMODE™ 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 520V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.15V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 95ns 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 520V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AA, DO-27, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
