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VS-GA200HS60S1PBF

VS-GA200HS60S1PBF

참조 용

부품 번호 VS-GA200HS60S1PBF
PNEDA 부품 번호 VS-GA200HS60S1PBF
설명 IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,070
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 28 - 12월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VS-GA200HS60S1PBF 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VS-GA200HS60S1PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
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  • VS-GA200HS60S1PBF Distributor

VS-GA200HS60S1PBF 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)480A
전력-최대830W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.21V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce32.5nF @ 30V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스INT-A-Pak
공급자 장치 패키지INT-A-PAK

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전력-최대

400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.5nF @ 10V

입력

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NTC 서미스터

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작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

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전력-최대

961W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

7600W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 800A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

52nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

3900W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1000A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

220nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

1000A

전력-최대

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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전류-수집기 차단 (최대)

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입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

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