VS-GA200HS60S1PBF
참조 용
| 부품 번호 | VS-GA200HS60S1PBF |
| PNEDA 부품 번호 | VS-GA200HS60S1PBF |
| 설명 | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,070 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 13 - 3월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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VS-GA200HS60S1PBF 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | VS-GA200HS60S1PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
| 데이터 시트 |
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VS-GA200HS60S1PBF 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 구성 | Half Bridge |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 480A |
| 전력-최대 | 830W |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.21V @ 15V, 200A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 1mA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 32.5nF @ 30V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | INT-A-Pak |
| 공급자 장치 패키지 | INT-A-PAK |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * IGBT 유형 - 구성 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전력-최대 - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce - 입력 - NTC 서미스터 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 1200A 전력-최대 7600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대) 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 52nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 125°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 구성 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 3300V 전류-수집기 (Ic) (최대) 1000A 전력-최대 11500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 1000A 전류-수집기 차단 (최대) 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 190nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
