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VSKY05301006-G4-08

VSKY05301006-G4-08

참조 용

부품 번호 VSKY05301006-G4-08
PNEDA 부품 번호 VSKY05301006-G4-08
설명 DIODE SCHTKY 30V 500MA CLP10062L
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 93,180
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VSKY05301006-G4-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VSKY05301006-G4-08
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
VSKY05301006-G4-08, VSKY05301006-G4-08 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 134.91 KB)
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VSKY05301006-G4-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)30V
전류-평균 정류 (Io)500mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If430mV @ 500mA
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr75µA @ 30V
커패시턴스 @ Vr, F140pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스0402 (1006 Metric)
공급자 장치 패키지CLP1006-2L
작동 온도-접합150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

490mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

25V

전류-평균 정류 (Io)

150mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 30mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

작동 온도-접합

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ER1C-LTP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA, HSMB

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

GB01SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

69pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-252

작동 온도-접합

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제조업체

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1.4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1.4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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