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VWM270-0075X2

VWM270-0075X2

참조 용

부품 번호 VWM270-0075X2
PNEDA 부품 번호 VWM270-0075X2
설명 MOSFET 6N-CH 75V 270A V2-PAK
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

VWM270-0075X2 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호VWM270-0075X2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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VWM270-0075X2 사양

제조업체IXYS
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)270A
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs360nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스V2-PAK
공급자 장치 패키지V2-PAK

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

95mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

282pF @ 15V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

85V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

112A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

152nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

150W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Vishay Siliconix

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1010pF @ 10V

전력-최대

19.8W, 21.9W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SI1563EDH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.13A, 880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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