APTM60A11FT1G
참조 용
| 부품 번호 | APTM60A11FT1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM60A11FT1G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,868 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM60A11FT1G 리소스
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APTM60A11FT1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 600V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 132mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 10552pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 285pF @ 15V 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 74A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 15mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 161nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2788pF @ 1000V 전력-최대 375W 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 SP3 |
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