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W25Q80BWSNIG

W25Q80BWSNIG

참조 용

부품 번호 W25Q80BWSNIG
PNEDA 부품 번호 W25Q80BWSNIG
설명 IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC
제조업체 Winbond Electronics
단가 견적 요청
재고 있음 342,153
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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W25Q80BWSNIG 리소스

브랜드 Winbond Electronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호W25Q80BWSNIG
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
W25Q80BWSNIG, W25Q80BWSNIG 데이터 시트 (총 페이지: 75, 크기: 1,148.65 KB)
PDFW25Q80BWBYIG TR 데이터 시트 표지
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W25Q80BWSNIG 사양

제조업체Winbond Electronics
시리즈SpiFlash®
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수80MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지800µs
접근 시간-
전압-공급1.65V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 크기

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메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

e•MMC™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

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기술

FLASH - NAND

메모리 크기

64Gb (8G x 8)

메모리 인터페이스

MMC

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

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메모리 유형

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메모리 포맷

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기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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CY7C1061GE30-10ZXI

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ns

접근 시간

10ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (264 Bytes x 512 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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