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XP152A12C0MR

XP152A12C0MR

참조 용

부품 번호 XP152A12C0MR
PNEDA 부품 번호 XP152A12C0MR
설명 MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
제조업체 Torex Semiconductor Ltd
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XP152A12C0MR 리소스

브랜드 Torex Semiconductor Ltd
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호XP152A12C0MR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • XP152A12C0MR Distributor

XP152A12C0MR 사양

제조업체Torex Semiconductor Ltd
시리즈-
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)700mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds180pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500mW (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 5V

Vgs (최대)

+25V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 1000V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

192W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

IRF1404STRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

162A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7360pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

R6012ANX

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220FM

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

IRFH3707TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 29A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

755pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta)

작동 온도

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FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

235A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6660pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 167W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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