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ZXMD63N03XTA

ZXMD63N03XTA

참조 용

부품 번호 ZXMD63N03XTA
PNEDA 부품 번호 ZXMD63N03XTA
설명 MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
제조업체 Diodes Incorporated
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예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMD63N03XTA 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMD63N03XTA
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMD63N03XTA, ZXMD63N03XTA 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 294.75 KB)
PDFZXMD63N03XTC 데이터 시트 표지
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ZXMD63N03XTA 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds290pF @ 25V
전력-최대1.04W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지8-MSOP

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13.5pF @ 15V

전력-최대

125mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-963

공급자 장치 패키지

SOT-963

APTM08TAM04PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

153nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4530pF @ 25V

전력-최대

138W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

NX3008CBKS,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

350mA, 200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.68nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 15V

전력-최대

445mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

IRF8513TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

766pF @ 15V

전력-최대

1.5W, 2.4W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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