ZXMD63N03XTA
참조 용
| 부품 번호 | ZXMD63N03XTA |
| PNEDA 부품 번호 | ZXMD63N03XTA |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP |
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,264 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 19 - 6월 24 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ZXMD63N03XTA 리소스
| 브랜드 | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ZXMD63N03XTA |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ZXMD63N03XTA 사양
| 제조업체 | Diodes Incorporated |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 1.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1.04W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-MSOP |
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 350mA, 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 15V 전력-최대 445mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.1A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 631pF @ 15V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.1A, 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 25V 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 310pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
