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Renesas Electronics America Inc. 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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카테고리반도체 / 트랜지스터 / 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
제조업체Renesas Electronics America Inc.
기록 5
페이지 1/1
이미지
부품 번호
제조업체
설명
재고 있음
수량
시리즈
FET 유형
FET 기능
드레인-소스 전압 (Vdss)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)
Rds On (최대) @ Id, Vgs
Vgs (th) (최대) @ Id
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
전력-최대
작동 온도
장착 유형
패키지 / 케이스
공급자 장치 패키지
GWS9293
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET 2 N-CH 20V 9.4A 4QFN
2,502
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Standard
20V
9.4A (Ta)
17mOhm @ 3A, 4.5V
1.5V @ 1mA
3.5nC @ 4V
400pF @ 10V
3.6W
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
4-VDFN
4-QFN (2x2)
GWS9294
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET 2 N-CH 20V 10.1A 4QFN
3,454
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Standard
20V
10.1A (Ta)
13mOhm @ 6.5A, 4.5V
1.5V @ 1mA
11nC @ 4V
900pF @ 10V
3.6W
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
4-VDFN
4-QFN (2x2)
KGF16N05D-400
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET N-CH 5.5V DUAL 20WLCSP
4,212
-
2 N-Channel (Dual) Common Source
Standard
5.5V
16A (Ta)
0.95mOhm @ 8A, 4.5V
0.9V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
600pF @ 5V
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-UFLGA, CSP
20-WLCSP (2.48x1.17)
GWS4621L
Renesas Electronics America Inc.
MOSFET 2N-CH
7,254
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Standard
20V
10.1A (Ta)
9.8mOhm @ 3A, 4.5V
1.5V @ 1mA
11nC @ 4V
1125pF @ 10V
3.6W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
4-XFLGA, CSP
4-WLCSP (1.82x1.82)
KGF6N05D-400
Renesas Electronics America Inc.
IC MOSFET N-CH
2,718
-
2 N-Channel (Dual) Common Source
Standard
5.5V
12A (Ta)
3mOhm @ 6A, 4.5V
0.9V @ 250µA
4nC @ 3.5V
630pF @ 5.5V
2.5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
20-UFLGA, CSP
20-WLCSP (2.48x1.17)