다이오드 및 정류기

BAT 15-02LS E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TSSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 패키지 / 케이스: 0201 (0603 Metric)
• 공급자 장치 패키지: PG-TSSLP-2

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BAT1503WE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOD323-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

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BAT1504RE6152HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAT1504RE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.25pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 18Ohm @ 5mA, 1MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAT1504WE6327BTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1504WH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1505WE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1505WH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT15099E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

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BAT15099E6433HTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

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BAT 15-099LRH E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAT15099RE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW SOT143-4

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Bridge
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.5pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

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BAT1704E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAT1704WE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1704WH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1705E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAT1705WE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1705WH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Cathode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1706WE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Anode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1706WH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT323-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 1 Pair Common Anode
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT323-3

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BAT1707E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT143-4

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-253-4, TO-253AA
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT143-4

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BAT17,215

Nexperia

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 30mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1kHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 100°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB

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BAT17,235

Nexperia

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V TO236AB

• 제조업체: Nexperia USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 30mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 1kHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 100°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB

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BAT17E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 150MW SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 130mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.75pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 15Ohm @ 5mA, 10kHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAT18,215

NXP

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V TO236AB

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

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BAT18,235

NXP

다이오드-RF

RF DIODE STANDARD 35V TO236AB

• 제조업체: NXP USA Inc.
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 35V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1pF @ 20V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 700mOhm @ 5mA, 200MHz
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 125°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)

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BAT2402LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.23pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 0201 (0603 Metric)
• 공급자 장치 패키지: TSSLP-2-1

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BAT6202LE6327XTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 40V
• 현재-최대: 20mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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BAT6202LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 40V
• 현재-최대: 20mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 0201 (0603 Metric)
• 공급자 장치 패키지: TSSLP-2-1

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BAT 62-02W E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE SCHOTTKY 40V 100MW SCD80

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 40V
• 현재-최대: 20mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-80
• 공급자 장치 패키지: SCD-80

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