다이오드 및 정류기

BAR6502VH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 30V 250MW SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BAR6503WE6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 30V 250MW SOD323-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.8pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 900mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
• 공급자 장치 패키지: PG-SOD323-2

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BAR66E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 150V
• 현재-최대: 200mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 35V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.8Ohm @ 5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: -
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAR66E6433HTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 150V
• 현재-최대: 200mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.6pF @ 35V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.8Ohm @ 5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: -
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAR 67-02V E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 150V
• 현재-최대: 200mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BAR6702VH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 150V 250MW SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 150V
• 현재-최대: 200mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BAR6704E6327HTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 150V 250MW SOT23-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 1 Pair Series Connection
• 전압-피크 역방향 (최대): 150V
• 현재-최대: 200mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.55pF @ 5V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• 공급자 장치 패키지: SOT-23-3

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BAR81WE6327BTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1Ohm @ 5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

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BAR81WH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

DIODE STANDAR 30V 100MW SOT343-4

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 30V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.9pF @ 3V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1Ohm @ 5mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343
• 공급자 장치 패키지: PG-SOT343-4

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BAR8802LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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BAR 88-02LRH E6433

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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BAR 88-02V E6127

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BAR 88-02V E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BAR8802VH6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW SC79-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SC-79, SOD-523
• 공급자 장치 패키지: PG-SC79-2

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BAR 88-07LRH E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR 88-098LRH E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR 88-099LRH E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.4pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 600mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR8902LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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BAR8902LRHE6433XTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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BAR9002ELE6327XTMA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2-19

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 0402 (1006 Metric)
• 공급자 장치 패키지: TSLP-2-19

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BAR9002ELSE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 0201 (0603 Metric)
• 공급자 장치 패키지: PG-TSSLP-2-3

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BAR9002LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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BAR9002LSE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 0201 (0603 Metric)
• 공급자 장치 패키지: PG-TSSLP-2

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BAR 90-07LRH E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR 90-081LS E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 150MW TSSLP-8-1

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 4 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 8-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: TSSLP-8-1

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BAR 90-098L4 E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR90098LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR 90-099LRH E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 80V 250MW TSLP-4-7

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - 2 Independent
• 전압-피크 역방향 (최대): 80V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 800mOhm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 250mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 4-XFDFN
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-4-7

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BAR 95-02LS E6327

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE PIN 50V 150MW TSSLP-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: PIN - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 50V
• 현재-최대: 100mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 1V, 1MHz
• 저항 @ If, F: 1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
• 전력 손실 (최대): 150mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: 0201 (0603 Metric)
• 공급자 장치 패키지: PG-TSSLP-2

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BAT1502LRHE6327XTSA1

Infineon Technologies

다이오드-RF

RF DIODE SCHOTTKY 4V 100MW TSLP2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky - Single
• 전압-피크 역방향 (최대): 4V
• 현재-최대: 110mA
• 커패시턴스 @ Vr, F: 0.35pF @ 0V, 1MHz
• 저항 @ If, F: -
• 전력 손실 (최대): 100mW
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 패키지 / 케이스: SOD-882
• 공급자 장치 패키지: PG-TSLP-2

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