메모리 IC

M95640-WDW6TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 20MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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M95640-WDW6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 20MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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M95640-WMN6P

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 20MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95640-WMN6T

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 20MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95640-WMN6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 64K SPI 20MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 20MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M01-DFCS6TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8WLCSP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-UFBGA, WLCSP
• 공급자 장치 패키지: 8-WLCSP

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M95M01-DFDW6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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M95M01-DFMN6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M01-DWDW3TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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M95M01-DWDW4TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 145°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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M95M01-DWMN3TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M01-RCS6TP/A

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8WLCSP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-UFBGA, CSPBGA
• 공급자 장치 패키지: 8-WLCSP

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M95M01-RDW6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8TSSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP

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M95M01-RMN6P

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M01-RMN6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M01-RMW6G

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

M95M01-RMW6TG

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 1M SPI 16MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 16MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M02-DRCS6TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2M SPI 5MHZ 8WLCSP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 5MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-UBGA, WLCSP
• 공급자 장치 패키지: 8-WLCSP (3.56x2.01)

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M95M02-DRMN6TP

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2M SPI 5MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 5MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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M95M02-DWMN3TP/K

STMicroelectronics

기억

IC EEPROM 2M SPI 10MHZ 8SO

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 10MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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MB85AS4MTPF-G-BCERE1

Fujitsu Electronics

기억

IC RAM 4M SPI 5MHZ 8SOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: RAM
• 기술: ReRAM (Resistive RAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 5MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 17ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.65V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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MB85R1001ANC-GE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 1M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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MB85R1002ANC-GE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 1M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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MB85R256FPFCN-G-BNDE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-TSOP I

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MB85R256FPF-G-BNDE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOP

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MB85R256FPF-G-BND-ERE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOP

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MB85R256FPNF-G-JNERE2

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 28-SOP

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MB85R256GPF-G-BNDE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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MB85R4001ANC-GE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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