메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MD56V62160M-7TAZ0AX Rohm Semiconductor	기억 IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 64Mb (4M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 7ns 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II	재고 있음12,972
MD8832-D1G-V18-X-P SanDisk	기억 IC FLASH 1G PARALLEL 69FBGA 제조업체: SanDisk 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 30ns 전압-공급: 1.65V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 69-FBGA 공급자 장치 패키지: 69-FBGA (9x12)	재고 있음23,148
MM74C89N ON Semiconductor	기억 IC RAM 64 PARALLEL 16DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: RAM 메모리 크기: 64b (16 x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 280ns 전압-공급: 3V ~ 15V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음3,330
MM74C910N ON Semiconductor	기억 IC RAM 256 PARALLEL 18DIP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: RAM 메모리 크기: 256b (64 x 4) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 500ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 18-PDIP	재고 있음5,364
MR0A08BCMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음6,192
MR0A08BCMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음8,784
MR0A08BCSO35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음6,264
MR0A08BCSO35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음7,830
MR0A08BCYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음4,482
MR0A08BCYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음3,600
MR0A08BMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음6,408
MR0A08BMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음7,920
MR0A08BSO35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음8,172
MR0A08BSO35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 32-SOIC	재고 있음5,094
MR0A08BYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음10,860
MR0A08BYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음7,488
MR0A16ACMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음6,696
MR0A16ACMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음3,168
MR0A16ACYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음20,400
MR0A16ACYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음5,022
MR0A16AMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음4,860
MR0A16AMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음5,796
MR0A16AMYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음3,600
MR0A16AMYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음6,660
MR0A16AVMA35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음2,772
MR0A16AVMA35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-LFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)	재고 있음3,852
MR0A16AVYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음2,178
MR0A16AVYS35R Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음8,694
MR0A16AYS35 Everspin Technologies Inc.	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2 제조업체: Everspin Technologies Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP2	재고 있음8,766
MR0A16AYS35R NXP	기억 IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: RAM 기술: MRAM (Magnetoresistive RAM) 메모리 크기: 1Mb (64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns 접근 시간: 35ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II	재고 있음6,030

MD56V62160M-7TAZ0AX

Rohm Semiconductor

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 7ns
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

재고 있음12,972

MD8832-D1G-V18-X-P

SanDisk

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 69FBGA

제조업체: SanDisk
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 30ns
전압-공급: 1.65V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 69-FBGA
공급자 장치 패키지: 69-FBGA (9x12)

재고 있음23,148

MM74C89N

ON Semiconductor

기억

IC RAM 64 PARALLEL 16DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: RAM
메모리 크기: 64b (16 x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 280ns
전압-공급: 3V ~ 15V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 16-PDIP

재고 있음3,330

MM74C910N

ON Semiconductor

기억

IC RAM 256 PARALLEL 18DIP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: RAM
메모리 크기: 256b (64 x 4)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 500ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 18-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 18-PDIP

재고 있음5,364

MR0A08BCMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음6,192

MR0A08BCMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음8,784

MR0A08BCSO35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOIC

재고 있음6,264

MR0A08BCSO35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOIC

재고 있음7,830

MR0A08BCYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음4,482

MR0A08BCYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음3,600

MR0A08BMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음6,408

MR0A08BMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음7,920

MR0A08BSO35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOIC

재고 있음8,172

MR0A08BSO35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 32SOIC

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지: 32-SOIC

재고 있음5,094

MR0A08BYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음10,860

MR0A08BYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음7,488

MR0A16ACMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음6,696

MR0A16ACMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음3,168

MR0A16ACYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음20,400

MR0A16ACYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음5,022

MR0A16AMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음4,860

MR0A16AMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음5,796

MR0A16AMYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음3,600

MR0A16AMYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음6,660

MR0A16AVMA35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음2,772

MR0A16AVMA35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-LFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (8x8)

재고 있음3,852

MR0A16AVYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음2,178

MR0A16AVYS35R

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음8,694

MR0A16AYS35

Everspin Technologies Inc.

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP2

제조업체: Everspin Technologies Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP2

재고 있음8,766

MR0A16AYS35R

NXP

기억

IC RAM 1M PARALLEL 44TSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: RAM
기술: MRAM (Magnetoresistive RAM)
메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
접근 시간: 35ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 44-TSOP II

재고 있음6,030

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