메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음2,448
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음7,344
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음6,750
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음6,228
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음2,106
MT29F256G08CMAAAC5:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-VLGA 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)	재고 있음6,588
MT29F256G08CMAAAC5:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-VLGA 공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)	재고 있음7,848
MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음7,128
MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음3,454
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음3,168
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음8,352
MT29F256G08CMCABH2-12:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음7,578
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음6,084
MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음4,086
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음2,448
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음6,156
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음8,478
MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음4,644
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,124
MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,228
MT29F256G08CMCBBH2-10:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음8,082
MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음6,390
MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-TBGA 공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)	재고 있음2,592
MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음3,024
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음3,726
MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음4,284
MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음8,298
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음2,268
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음6,246
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음6,318

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음2,448

MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음7,344

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음6,750

MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음6,228

MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음2,106

MT29F256G08CMAAAC5:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-VLGA
공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)

재고 있음6,588

MT29F256G08CMAAAC5:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 52VLGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-VLGA
공급자 장치 패키지: 52-VLGA (18x14)

재고 있음7,848

MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-TBGA
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재고 있음7,128

MT29F256G08CMCABH2-10RZ:A TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
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재고 있음3,454

MT29F256G08CMCABH2-10Z:A

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
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재고 있음3,168

MT29F256G08CMCABH2-10Z:A TR

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
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재고 있음8,352

MT29F256G08CMCABH2-12:A

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
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재고 있음7,578

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
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재고 있음6,084

MT29F256G08CMCABH2-12ITZ:A TR

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IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
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재고 있음4,086

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음2,448

MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
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재고 있음6,156

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A

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IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
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접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음8,478

MT29F256G08CMCABJ2-10RZ:A TR

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IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음4,644

MT29F256G08CMCABK3-10Z:A

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IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,124

MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR

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IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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재고 있음6,228

MT29F256G08CMCBBH2-10:B

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
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시계 주파수: 100MHz
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재고 있음8,082

MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 100TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 100-TBGA (12x18)

재고 있음6,390

MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
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재고 있음2,592

MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
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시계 주파수: 167MHz
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패키지 / 케이스: -
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재고 있음3,024

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음3,726

MT29F256G08CMCDBJ5-6R:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음4,284

MT29F256G08CMCGBJ4-37ES:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
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접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음8,298

MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
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메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음2,268

MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음6,246

MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음6,318

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