메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)	재고 있음4,284
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음3,294
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음4,824
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,628
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,670
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G 32GX8 VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,604
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G 32GX8 VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,888
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH TLC 256GBIT 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,772
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,318
MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH TLC 256GBIT 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,292
MT29F256G08EBHAFB16A3WEA Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,568
MT29F256G08EBHAFB16A3WSA Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,464
MT29F256G08EBHAFB16A3WTA Micron Technology Inc.	기억 TLC 256G DIE 32GX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음4,014
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음3,454
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,400
MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,500
MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,704
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,406
MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,498
MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음5,778
MT29F256G08EECBBJ4-6:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음6,696
MT29F256G08EECBBJ4-6:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 167MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음7,884
MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 200MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음6,372
MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음8,874
MT29F256G08EFEBBWP:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음6,228
MT29F256G08EFEBBWP:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음7,884
MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 256Gb (32G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,492
MT29F2G01AAAEDH4:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 2G SPI 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 2Gb (2G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음7,110

MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-TBGA (12x18)

재고 있음4,284

MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음3,294

MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음4,824

MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-M

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,628

MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,670

MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G 32GX8 VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,604

MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G 32GX8 VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,888

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,948

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH TLC 256GBIT 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,772

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,318

MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH TLC 256GBIT 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,292

MT29F256G08EBHAFB16A3WEA

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,568

MT29F256G08EBHAFB16A3WSA

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,464

MT29F256G08EBHAFB16A3WTA

Micron Technology Inc.

기억

TLC 256G DIE 32GX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음4,014

MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음3,454

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,400

MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,500

MT29F256G08EBHBFB16C3WC1-FES

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,704

MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,406

MT29F256G08EBHBFJ4-3ITFES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,498

MT29F256G08EECBBJ4-10ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음5,778

MT29F256G08EECBBJ4-6:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음6,696

MT29F256G08EECBBJ4-6:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 167MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 167MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음7,884

MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 200MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음6,372

MT29F256G08EFCDBWP-10M:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음8,874

MT29F256G08EFEBBWP:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음6,228

MT29F256G08EFEBBWP:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음7,884

MT29F256G08EFEBBWP-M:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256G PARALLEL 48TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 256Gb (32G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,492

MT29F2G01AAAEDH4:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 2Gb (2G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음7,110

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