메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F512G08CUCABH3-10R:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음2,520
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음6,372
MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음3,960
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음2,970
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음5,724
MT29F512G08CUCABH3-12:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음745
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음2,754
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음2,520
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음2,016
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-LBGA 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)	재고 있음7,218
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음7,272
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 100MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음8,334
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음5,130
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음5,652
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음2,394
MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음6,444
MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-LBGA 공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)	재고 있음4,446
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G TLC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (TLC) 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,604
MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G TLC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (TLC) 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: 0°C ~ 70°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,482
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,856
MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,742
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,714
MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,082
MT29F512G08EBHBFJ4-R:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,516
MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,906
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A Micron Technology Inc.	기억 TLC 512G 64GX8 VBGA DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,996
MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR Micron Technology Inc.	기억 TLC 512G 64GX8 VBGA DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,578
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-VBGA 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음3,508
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-VBGA 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음6,174
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 512Gb (64G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 132-VBGA 공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)	재고 있음3,508

MT29F512G08CUCABH3-10R:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음2,520

MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음6,372

MT29F512G08CUCABH3-10RZ:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음3,960

MT29F512G08CUCABH3-10Z:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음2,970

MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음5,724

MT29F512G08CUCABH3-12:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음745

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음2,754

MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음2,520

MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음2,016

MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512G PARALLEL 100LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
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패키지 / 케이스: 100-LBGA
공급자 장치 패키지: 100-LBGA (12x18)

재고 있음7,218

MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
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시계 주파수: 100MHz
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재고 있음7,272

MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR

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IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 100MHz
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공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)

재고 있음8,334

MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR

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IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
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시계 주파수: 166MHz
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재고 있음5,130

MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512G PARALLEL 132LBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)

재고 있음5,652

MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR

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IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
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전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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재고 있음2,394

MT29F512G08CUEDBJ6-12:D TR

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IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 132-LBGA
공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)

재고 있음6,444

MT29F512G08CUEDBJ6-12IT:D TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512G PARALLEL 83MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 132-LBGA
공급자 장치 패키지: 132-LBGA (12x18)

재고 있음4,446

MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-FES

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IC FLASH NAND 512G TLC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (TLC)
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,604

MT29F512G08EBHAFB17A3WC1-R

Micron Technology Inc.

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IC FLASH NAND 512G TLC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (TLC)
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: 0°C ~ 70°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,482

MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A

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IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,856

MT29F512G08EBHAFJ4-3ITFES:A TR

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IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,742

MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A

Micron Technology Inc.

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IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,714

MT29F512G08EBHAFJ4-3T:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,082

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,516

MT29F512G08EBHBFJ4-R:B TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH NAND 512G PAR 132VBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,906

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A

Micron Technology Inc.

기억

TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,996

MT29F512G08EECAGJ4-5M:A TR

Micron Technology Inc.

기억

TLC 512G 64GX8 VBGA DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,578

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 132-VBGA
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음3,508

MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 132-VBGA
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음6,174

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 132-VBGA
공급자 장치 패키지: 132-VBGA (12x18)

재고 있음3,508

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