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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
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수량
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA
재고 있음849
MT29F4G16ABBDAHC-IT:D TR
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA
재고 있음6,642
MT29F4G16ABBDAM60A3WC1
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,418
MT29F4G16ABBEAH4:E
MT29F4G16ABBEAH4:E

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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음2,862
MT29F4G16ABBEAH4:E TR
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음5,418
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음5,166
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E TR
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음8,586
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
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IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음4,644
MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F TR
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IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음6,336
MT29F4G16ABBFAM70A3WC1
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SLC 4G DIE 256MX16

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,868
MT29F4G16ABCHC:C TR
MT29F4G16ABCHC:C TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA
재고 있음8,514
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR
MT29F4G16ABCHC-ET:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA
재고 있음6,228
MT29F4G16ABCWC:C
MT29F4G16ABCWC:C

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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TSOP
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음8,604
MT29F4G16ABCWC:C TR
MT29F4G16ABCWC:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TSOP
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP
재고 있음5,778
MT29F4G16BABWP TR
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (256M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음6,282
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR
MT29F4T08CTCBBM5-37ES:B TR

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기억

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,550
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B
MT29F4T08CTHBBM5-3C:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,190
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR
MT29F4T08CTHBBM5-3C:BTR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,832
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음597
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,574
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR
MT29F4T08CTHBBM5-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,056
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,844
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR
MT29F4T08EUHAFM4-3T:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,222
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR
MT29F4T08EYCBBG9-37:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,762
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR
MT29F4T08EYCBBG9-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 267MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,488
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR
MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,020
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR
MT29F4T08EYHBBG9-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4T PARALLEL 333MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Tb (512G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,122
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR
MT29F512G08AUCBBH8-6:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-LBGA (14x18)
재고 있음3,348
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-LBGA (14x18)
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MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512G PARALLEL 166MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 512Gb (64G x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 152-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 152-LBGA (14x18)
재고 있음8,100