메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,312
MT29F4G08ABAFAM70A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 SLC 4G DIE 512MX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,074
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,382
MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음2,988
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,922
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,760
MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음5,850
MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음2,268
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음2,484
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL TSOP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음3,510
MT29F4G08ABAFAWP-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP1 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I	재고 있음6,156
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,924
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음13,764
MT29F4G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음5,778
MT29F4G08ABBDAH4:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,582
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음4,214
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음8,676
MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음3,492
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음5,598
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음7,128
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA	재고 있음7,866
MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA	재고 있음3,852
MT29F4G08ABBDAHC:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA	재고 있음3,006
MT29F4G08ABBDAHC:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA	재고 있음3,492
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA	재고 있음2,952
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA	재고 있음40,782
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 SLC 4G DIE 512MX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,994
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR Micron Technology Inc.	기억 SLC 4G DIE 512MX8 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,934
MT29F4G08ABBEAH4:E Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음6,138
MT29F4G08ABBEAH4:E TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)	재고 있음2,106

MT29F4G08ABAFAH4-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,312

MT29F4G08ABAFAM70A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

SLC 4G DIE 512MX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,074

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,382

MT29F4G08ABAFAWP-AATES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음2,988

MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,922

MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,760

MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음5,850

MT29F4G08ABAFAWP-AIT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음2,268

MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음2,484

MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL TSOP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음3,510

MT29F4G08ABAFAWP-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP1

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

재고 있음6,156

MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,924

MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음13,764

MT29F4G08ABBDAH4:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음5,778

MT29F4G08ABBDAH4:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,582

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음4,214

MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음8,676

MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음3,492

MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음5,598

MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음7,128

MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA

재고 있음7,866

MT29F4G08ABBDAHC-AIT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA

재고 있음3,852

MT29F4G08ABBDAHC:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA

재고 있음3,006

MT29F4G08ABBDAHC:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA

재고 있음3,492

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA

재고 있음2,952

MT29F4G08ABBDAHC-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA

재고 있음40,782

MT29F4G08ABBDAM60A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

SLC 4G DIE 512MX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,994

MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR

Micron Technology Inc.

기억

SLC 4G DIE 512MX8

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,934

MT29F4G08ABBEAH4:E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음6,138

MT29F4G08ABBEAH4:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

재고 있음2,106

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