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메모리 IC

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설명
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음7,704
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음38,045
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음685
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음3,600
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음2,412
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음41,934
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음32,778
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음6,858
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음14,412
MT29F4G08ABAEAH4:E
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음2,068
MT29F4G08ABAEAH4:E TR
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음12,648
MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
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  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음6,354
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음5,112
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
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  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음9,004
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음20,748
MT29F4G08ABAEAH4-S:E
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음2,286
MT29F4G08ABAEAH4-S:E TR
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음4,482
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
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SLC 4G DIE 512MX8

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,304
MT29F4G08ABAEAWP:E
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IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음90,725
MT29F4G08ABAEAWP:E TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음4,824
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E
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Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음39,690
MT29F4G08ABAEAWP-IT:E TR
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I
재고 있음18,132
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음5,472
MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F TR
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IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음6,192
MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR
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IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,186
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음6,282
MT29F4G08ABAFAH4-AITES:F TR
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기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음3,708
MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR
MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음5,886
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음7,380
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR
MT29F4G08ABAFAH4-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G PARALLEL FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND
  • 메모리 크기: 4Gb (512M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)
재고 있음4,644