메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 3Tb (384G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 267MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,374
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 3Tb (384G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,316
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 3Tb (384G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,484
MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 3Tb (384G x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.5V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,040
MT29F4G01AAADDHC:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)	재고 있음2,574
MT29F4G01AAADDHC-IT:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)	재고 있음7,704
MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)	재고 있음3,078
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)	재고 있음3,400
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI 63VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 63-VFBGA 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)	재고 있음3,060
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음7,254
MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음5,238
MT29F4G01ABAFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음4,464
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음7,344
MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음8,172
MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: Automotive, AEC-Q100 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음3,816
MT29F4G01ABAFDM70A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH SLC 4G NAND 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,914
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음6,696
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음4,482
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,618
MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-UPDFN (8x6) (MLP8)	재고 있음7,866
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음7,524
MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음4,284
MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 4G SLC TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음3,544
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음5,904
MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)	재고 있음3,744
MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 4G SLC TBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-TBGA 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)	재고 있음3,168
MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 4G SLC 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,772
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음7,956
MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 4G SPI UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)	재고 있음4,284
MT29F4G01ABBFDWB-IT:F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH NAND 4G SLC UPDFN 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH - NAND (SLC) 메모리 크기: 4Gb (4G x 1) 메모리 인터페이스: SPI 시계 주파수: 83MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-UDFN 공급자 장치 패키지: 8-UPDFN (8x6) (MLP8)	재고 있음3,420

MT29F3T08EUCBBM4-37ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 3T PARALLEL 267MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 3Tb (384G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 267MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,374

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 3Tb (384G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,316

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 3Tb (384G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,484

MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 3Tb (384G x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.5V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,040

MT29F4G01AAADDHC:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)

재고 있음2,574

MT29F4G01AAADDHC-IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)

재고 있음7,704

MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)

재고 있음3,078

MT29F4G01AAADDHC-ITX:D

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)

재고 있음3,400

MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI 63VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 63-VFBGA
공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (10.5x13)

재고 있음3,060

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음7,254

MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음5,238

MT29F4G01ABAFD12-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음4,464

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음7,344

MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음8,172

MT29F4G01ABAFD12-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: Automotive, AEC-Q100
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음3,816

MT29F4G01ABAFDM70A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH SLC 4G NAND

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,914

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음6,696

MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음4,482

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,618

MT29F4G01ABAFDWB-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-UPDFN (8x6) (MLP8)

재고 있음7,866

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음7,524

MT29F4G01ABBFD12-AATES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음4,284

MT29F4G01ABBFD12-AAT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 4G SLC TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음3,544

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음5,904

MT29F4G01ABBFD12-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-TBGA (6x8)

재고 있음3,744

MT29F4G01ABBFD12-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 4G SLC TBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 24-TBGA
공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

재고 있음3,168

MT29F4G01ABBFDM70A3WC1

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 4G SLC

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,772

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음7,956

MT29F4G01ABBFDWB-ITES:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 4G SPI UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-U-PDFN (8x6)

재고 있음4,284

MT29F4G01ABBFDWB-IT:F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH NAND 4G SLC UPDFN

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH - NAND (SLC)
메모리 크기: 4Gb (4G x 1)
메모리 인터페이스: SPI
시계 주파수: 83MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 8-UDFN
공급자 장치 패키지: 8-UPDFN (8x6) (MLP8)

재고 있음3,420

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