메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,982
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,130
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,838
MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,604
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 38G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,362
MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 38G MLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,038
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H Micron Technology Inc.	기억 SLC EMMC/LPDDR2 36G 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음3,580
MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR Micron Technology Inc.	기억 SLC EMMC/LPDDR2 36G 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음3,454
MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR Micron Technology Inc.	기억 MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음3,276
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G SLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,226
MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 36G SLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,880
MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR Micron Technology Inc.	기억 MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,524
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 72G SLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,554
MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 72G SLC DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,172
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1.5G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,552
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1.5G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,208
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-WFBGA (7.5x8)	재고 있음5,202
MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-WFBGA (7.5x8)	재고 있음7,110
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)	재고 있음5,904
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)	재고 있음12,234
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)	재고 있음7,488
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)	재고 있음4,554
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1.5G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)	재고 있음4,266
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH 1.5G DDR 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 121-WFBGA 공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)	재고 있음4,734
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,582
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,294
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음2,916
MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음5,184
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음3,060
MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR Micron Technology Inc.	기억 IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH, RAM 기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.8V 작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 162-VFBGA 공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)	재고 있음6,966

MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,982

MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,130

MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,838

MT29KZZZ4D4TGFAK-5WA.6Z4 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,604

MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 38G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,362

MT29KZZZ6D4AGLDM-5 W.6N4 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 38G MLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,038

MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H

Micron Technology Inc.

기억

SLC EMMC/LPDDR2 36G

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음3,580

MT29PZZZ4D4BKEPK-18 W.94H TR

Micron Technology Inc.

기억

SLC EMMC/LPDDR2 36G

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음3,454

MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR

Micron Technology Inc.

기억

MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음3,276

MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G SLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,226

MT29PZZZ4D4WKETF-18 W.6E4 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 36G SLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,880

MT29PZZZ8D4BKFSK-18 W.94L TR

Micron Technology Inc.

기억

MOD EMMC NAND 4GB 162VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,524

MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 72G SLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
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재고 있음4,554

MT29PZZZ8D4WKFEW-18 W.6D4 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 72G SLC DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
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시계 주파수: -
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재고 있음8,172

MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
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기술: -
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재고 있음6,552

MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
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기술: -
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재고 있음8,208

MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-WFBGA (7.5x8)

재고 있음5,202

MT29RZ1C1CZZHGTN-18I.85G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-WFBGA (7.5x8)

재고 있음7,110

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)

재고 있음5,904

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)

재고 있음12,234

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)

재고 있음7,488

MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 1G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)

재고 있음4,554

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)

재고 있음4,266

MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1.5G DDR

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 121-WFBGA
공급자 장치 패키지: 121-VFBGA (8x7.5)

재고 있음4,734

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,582

MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,294

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음2,916

MT29RZ2B2DZZHHTB-18I.88F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음5,184

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

재고 있음3,060

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH RAM 2G PARALLEL 533MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH, RAM
기술: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
메모리 크기: 2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.8V
작동 온도: -25°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 162-VFBGA
공급자 장치 패키지: 162-VFBGA (10.5x8)

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