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메모리 IC

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부품 번호
설명
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MT47H128M8HQ-3 IT:G
MT47H128M8HQ-3 IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)
재고 있음2,412
MT47H128M8HQ-3 IT:G TR
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기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)
재고 있음2,322
MT47H128M8HQ-3 L:G
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)
재고 있음5,652
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x11.5)
재고 있음5,292
MT47H128M8JN-25E:H
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음2,106
MT47H128M8JN-3:H
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음8,946
MT47H128M8JN-3 IT:H
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음4,626
MT47H128M8SH-187E:M
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 350ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음5,832
MT47H128M8SH-187E:M TR
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 533MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 350ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x18)
재고 있음5,148
MT47H128M8SH-25E AAT:M
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x18)
재고 있음7,380
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (10x18)
재고 있음7,614
MT47H128M8SH-25E AIT:M
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음2,862
MT47H128M8SH-25E AIT:M TR
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IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음7,218
MT47H128M8SH-25E IT:M
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IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음73,344
MT47H128M8SH-25E IT:M TR
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IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음3,330
MT47H128M8SH-25E:M
MT47H128M8SH-25E:M

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음26,429
MT47H128M8SH-25E:M TR
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IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-TFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x10)
재고 있음2,844
MT47H16M16BG-37E:B TR
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IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 500ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음4,428
MT47H16M16BG-37V:B
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 500ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음8,316
MT47H16M16BG-3:B TR
MT47H16M16BG-3:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음3,816
MT47H16M16BG-3E:B
MT47H16M16BG-3E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음8,226
MT47H16M16BG-3 IT:B TR
MT47H16M16BG-3 IT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 333MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 450ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음4,752
MT47H16M16BG-5E:B
MT47H16M16BG-5E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 600ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음7,113
MT47H16M16BG-5E:B TR
MT47H16M16BG-5E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 600ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 84-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x14)
재고 있음2,088
MT47H1G4WTR-25E:C
MT47H1G4WTR-25E:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (9x11.5)
재고 있음3,618
MT47H1G4WTR-25E:C TR
MT47H1G4WTR-25E:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 4Gb (1G x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 400MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 63-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 63-FBGA (9x11.5)
재고 있음6,138
MT47H256M4B7-37E:A
MT47H256M4B7-37E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 92-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)
재고 있음2,628
MT47H256M4B7-37E:A TR
MT47H256M4B7-37E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 267MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 400ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 92-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)
재고 있음3,490
MT47H256M4B7-5E:A
MT47H256M4B7-5E:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 600ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 92-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)
재고 있음7,560
MT47H256M4B7-5E:A TR
MT47H256M4B7-5E:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - DDR2
  • 메모리 크기: 1Gb (256M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 600ps
  • 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 92-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 92-FBGA (11x19)
재고 있음7,704