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메모리 IC

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설명
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음4,662
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,352
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,636
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  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,088
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,946
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,312
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
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  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,942
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  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,318
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  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
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  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음7,578
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  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,544
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  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
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  • 제조업체: Alliance Memory, Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음4,284
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음7,470
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IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,322
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (32M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음4,212
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (32M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,610
MT48LC32M4A2TG-75 L:G
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (32M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,516
MT48LC32M4A2TG-75 L:G TR
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 128Mb (32M x 4)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,160
MT48LC32M8A2BB-6A:G
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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음4,860
MT48LC32M8A2BB-6A:G TR
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음7,560
MT48LC32M8A2BB-75:D
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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음5,022
MT48LC32M8A2BB-75 IT:D
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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음5,094
MT48LC32M8A2BB-75 L:D
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음6,714
MT48LC32M8A2BB-7E:D
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Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음8,514
MT48LC32M8A2BB-7E:G
MT48LC32M8A2BB-7E:G

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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음5,814
MT48LC32M8A2BB-7E:G TR
MT48LC32M8A2BB-7E:G TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음2,844
MT48LC32M8A2FB-75:D TR
MT48LC32M8A2FB-75:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음3,078
MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR
MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음7,182
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR
MT48LC32M8A2FB-7E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 60-FBGA
  • 공급자 장치 패키지: 60-FBGA (8x16)
재고 있음4,176
MT48LC32M8A2P-6A:D
MT48LC32M8A2P-6A:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,502