Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

메모리 IC

기록 47,332
페이지 1183/1578
이미지
부품 번호
설명
재고 있음
수량
MT48LC32M8A2P-6A:D TR
MT48LC32M8A2P-6A:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,574
MT48LC32M8A2P-6A:G
MT48LC32M8A2P-6A:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,271
MT48LC32M8A2P-6A:G TR
MT48LC32M8A2P-6A:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음18,144
MT48LC32M8A2P-6A IT:G
MT48LC32M8A2P-6A IT:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음5,341
MT48LC32M8A2P-6A IT:G TR
MT48LC32M8A2P-6A IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,354
MT48LC32M8A2P-75:D
MT48LC32M8A2P-75:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,358
MT48LC32M8A2P-75:D TR
MT48LC32M8A2P-75:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음5,274
MT48LC32M8A2P-75 IT:D
MT48LC32M8A2P-75 IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,718
MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR
MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,852
MT48LC32M8A2P-75 L:D
MT48LC32M8A2P-75 L:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,118
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,100
MT48LC32M8A2P-7E:D
MT48LC32M8A2P-7E:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,712
MT48LC32M8A2P-7E:D TR
MT48LC32M8A2P-7E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,712
MT48LC32M8A2P-7E:G
MT48LC32M8A2P-7E:G

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,948
MT48LC32M8A2P-7E:G TR
MT48LC32M8A2P-7E:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,172
MT48LC32M8A2TG-6A:D
MT48LC32M8A2TG-6A:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,874
MT48LC32M8A2TG-75:D TR
MT48LC32M8A2TG-75:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,354
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음2,142
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D TR
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음7,272
MT48LC32M8A2TG-75 L:D
MT48LC32M8A2TG-75 L:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음8,172
MT48LC32M8A2TG-7E:D TR
MT48LC32M8A2TG-7E:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음3,204
MT48LC32M8A2TG-7E L:D
MT48LC32M8A2TG-7E L:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II
재고 있음6,300
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음7,152
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음5,922
MT48LC4M16A2B4-6A:J
MT48LC4M16A2B4-6A:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음7,380
MT48LC4M16A2B4-6A:J TR
MT48LC4M16A2B4-6A:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 167MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음7,434
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음3,654
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음2,232
MT48LC4M16A2B4-7E:J
MT48LC4M16A2B4-7E:J

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음3,798
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM
  • 메모리 크기: 64Mb (4M x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 14ns
  • 접근 시간: 5.4ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)
재고 있음4,338