메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT49H32M18SJ-18:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,226
MT49H32M18SJ-18:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,298
MT49H32M18SJ-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,460
MT49H32M18SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음2,070
MT49H32M18SJ-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음6,786
MT49H32M18SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음6,156
MT49H32M9BM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,694
MT49H32M9BM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,598
MT49H32M9BM-33:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,628
MT49H32M9BM-33:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,002
MT49H32M9FM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,748
MT49H32M9FM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,290
MT49H32M9FM-25 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,248
MT49H32M9FM-33:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음1,494
MT49H32M9FM-33:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음6,354
MT49H32M9FM-33 TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,328
MT49H32M9SJ-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음7,740
MT49H32M9SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (32M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음6,084
MT49H64M9BM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,760
MT49H64M9BM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,812
MT49H64M9CBM-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,892
MT49H64M9FM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,942
MT49H64M9FM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,416
MT49H64M9FM-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,578
MT49H64M9FM-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음6,624
MT49H64M9SJ-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음7,578
MT49H64M9SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (64M x 9) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음7,326
MT49H8M36BM-18:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (8M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,844
MT49H8M36BM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (8M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음659
MT49H8M36BM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 288Mb (8M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,644

MT49H32M18SJ-18:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음8,226

MT49H32M18SJ-18:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음8,298

MT49H32M18SJ-25:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음8,460

MT49H32M18SJ-25:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음2,070

MT49H32M18SJ-25E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음6,786

MT49H32M18SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음6,156

MT49H32M9BM-25:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,694

MT49H32M9BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음5,598

MT49H32M9BM-33:B

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,628

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,002

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,748

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,290

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
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공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음4,248

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음1,494

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음6,354

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음7,740

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IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (32M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

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MT49H64M9BM-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음7,812

MT49H64M9CBM-25E:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,892

MT49H64M9FM-25:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음3,942

MT49H64M9FM-25:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,416

MT49H64M9FM-25E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,578

MT49H64M9FM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음6,624

MT49H64M9SJ-25E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음7,578

MT49H64M9SJ-25E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (64M x 9)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음7,326

MT49H8M36BM-18:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (8M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,844

MT49H8M36BM-25:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (8M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음659

MT49H8M36BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 288Mb (8M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

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