메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT49H32M18BM-18:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,470
MT49H32M18BM-18:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음7,056
MT49H32M18BM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,592
MT49H32M18BM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,050
MT49H32M18BM-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,982
MT49H32M18BM-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,118
MT49H32M18BM-33:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,330
MT49H32M18BM-33:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,996
MT49H32M18CBM-18:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음507
MT49H32M18CBM-18:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음3,726
MT49H32M18CBM-25 IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,256
MT49H32M18CBM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음6,354
MT49H32M18CFM-18:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음6,282
MT49H32M18CFM-18:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음4,734
MT49H32M18CFM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,832
MT49H32M18CFM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음5,778
MT49H32M18CFM-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,496
MT49H32M18CFM-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,154
MT49H32M18CSJ-18:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,982
MT49H32M18CSJ-18:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음5,724
MT49H32M18CSJ-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음4,986
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,028
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음2,016
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)	재고 있음8,784
MT49H32M18FM-25:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,892
MT49H32M18FM-25:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,106
MT49H32M18FM-25E:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음2,250
MT49H32M18FM-25E:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 15ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,082
MT49H32M18FM-33:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음13,976
MT49H32M18FM-33:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: DRAM 메모리 크기: 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 300MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 144-TFBGA 공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)	재고 있음8,244

MT49H32M18BM-18:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,470

MT49H32M18BM-18:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음7,056

MT49H32M18BM-25:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,592

MT49H32M18BM-25:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음4,050

MT49H32M18BM-25E:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,982

MT49H32M18BM-25E:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,118

MT49H32M18BM-33:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음2,330

MT49H32M18BM-33:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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기술: DRAM
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음3,996

MT49H32M18CBM-18:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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기술: DRAM
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재고 있음507

MT49H32M18CBM-18:B TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
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재고 있음3,726

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음6,354

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

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재고 있음6,282

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 유형: Volatile
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재고 있음4,734

MT49H32M18CFM-25:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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재고 있음5,832

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
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메모리 유형: Volatile
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재고 있음5,778

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,496

MT49H32M18CFM-25E:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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재고 있음8,154

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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재고 있음8,982

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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시계 주파수: 533MHz
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접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음5,724

MT49H32M18CSJ-25E:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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재고 있음4,986

MT49H32M18CSJ-25E:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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재고 있음8,028

MT49H32M18CSJ-25E IT:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-FBGA (18.5x11)

재고 있음2,016

MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음8,784

MT49H32M18FM-25:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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시계 주파수: 400MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
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재고 있음8,892

MT49H32M18FM-25:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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접근 시간: 20ns
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패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,106

MT49H32M18FM-25E:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음2,250

MT49H32M18FM-25E:B TR

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 15ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음8,082

MT49H32M18FM-33:B

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IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
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시계 주파수: 300MHz
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접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

재고 있음13,976

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제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: DRAM
메모리 크기: 576Mb (32M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 300MHz
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 144-TFBGA
공급자 장치 패키지: 144-µBGA (18.5x11)

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