메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53B256M32D1PX-062 XT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,454
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,446
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,626
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,932
MT53B256M32D1TG-062 XT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,948
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,676
MT53B256M32D1Z01MWC1 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 8G DIE 256MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,240
MT53B256M32D1Z91MWC1 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 8G DIE 256MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,562
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,832
MT53B256M64D2NK-053 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,862
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,106
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,902
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,430
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,462
MT53B256M64D2NK-062 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,778
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,120
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,934
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,434
MT53B256M64D2NL-062 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,430
MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,650
MT53B256M64D2NL-062 XT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,696
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,708
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,598
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,158
MT53B256M64D2NV MS Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,916
MT53B256M64D2NV MS TR Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM 16GBIT FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,896
MT53B256M64D2NW-062 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,050
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,850
MT53B256M64D2PX-062 XT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,724
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,510

MT53B256M32D1PX-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,454

MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,446

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,626

MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,932

MT53B256M32D1TG-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,948

MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,676

MT53B256M32D1Z01MWC1

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 8G DIE 256MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,240

MT53B256M32D1Z91MWC1

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 8G DIE 256MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,562

MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,832

MT53B256M64D2NK-053 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,862

MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,106

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,902

MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,430

MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,462

MT53B256M64D2NK-062 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,778

MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,120

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,934

MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,434

MT53B256M64D2NL-062 XT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,430

MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,650

MT53B256M64D2NL-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,696

MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,708

MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,598

MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,158

MT53B256M64D2NV MS

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,916

MT53B256M64D2NV MS TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM 16GBIT FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,896

MT53B256M64D2NW-062 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,050

MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,850

MT53B256M64D2PX-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,724

MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,510

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