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메모리 IC

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설명
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MT53B256M32D1PX-062 XT:C
MT53B256M32D1PX-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,454
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR
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기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,446
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C
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IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,626
MT53B256M32D1PX-062 XT ES:C TR
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IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,932
MT53B256M32D1TG-062 XT:C
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IC DRAM 8G 1600MHZ

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,948
MT53B256M32D1TG-062 XT ES:C
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IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,676
MT53B256M32D1Z01MWC1
MT53B256M32D1Z01MWC1

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LPDDR4 8G DIE 256MX32

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,240
MT53B256M32D1Z91MWC1
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기억

LPDDR4 8G DIE 256MX32

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,562
MT53B256M64D2NH-062 WT:B TR
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IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,832
MT53B256M64D2NK-053 WT:C
MT53B256M64D2NK-053 WT:C

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IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1866MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,862
MT53B256M64D2NK-053 WT:C TR
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IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1866MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,106
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C

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IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1866MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,902
MT53B256M64D2NK-053 WT ES:C TR
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IC DRAM 16G 1866MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1866MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,430
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR
MT53B256M64D2NK-062 WT:B TR

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IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,462
MT53B256M64D2NK-062 WT:C
MT53B256M64D2NK-062 WT:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,778
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR
MT53B256M64D2NK-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,120
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,934
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR
MT53B256M64D2NK-062 WT ES:C TR

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IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,434
MT53B256M64D2NL-062 XT:B
MT53B256M64D2NL-062 XT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,430
MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR
MT53B256M64D2NL-062 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,650
MT53B256M64D2NL-062 XT:C
MT53B256M64D2NL-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음6,696
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C
MT53B256M64D2NL-062 XT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,708
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR
MT53B256M64D2NV-062 XT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,598
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR
MT53B256M64D2NV-062 XT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,158
MT53B256M64D2NV MS
MT53B256M64D2NV MS

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 16G 1GX16 FBGA DDP

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,916
MT53B256M64D2NV MS TR
MT53B256M64D2NV MS TR

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM 16GBIT FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,896
MT53B256M64D2NW-062 WT:C
MT53B256M64D2NW-062 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,050
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C
MT53B256M64D2NW-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,850
MT53B256M64D2PX-062 XT:C
MT53B256M64D2PX-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
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MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1600MHZ FBGA

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: DRAM
  • 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: 1600MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.1V
  • 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
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