메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 6Gb (384M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,058
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM 6GBIT DIE 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 6Gb (384M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,276
MT53B384M16D1Z0AQWC1 Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM 6GBIT DIE 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 6Gb (384M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,272
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,128
MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,526
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음8,658
MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음8,838
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,472
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,598
MT53B384M32D2DS-062 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,934
MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음8,154
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,272
MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,636
MT53B384M32D2NP-053 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,380
MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,776
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,156
MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,790
MT53B384M32D2NP-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,668
MT53B384M32D2NP-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,552
MT53B384M32D2NP-062 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,780
MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 12G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 12Gb (384M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음4,716
MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,508
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192
MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,066
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,226
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,588
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,830
MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 272-WFBGA 공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)	재고 있음7,812
MT53B384M64D4NH-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 272-WFBGA 공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)	재고 있음4,518
MT53B384M64D4NH-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 24Gb (384M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 272-WFBGA 공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)	재고 있음7,974

MT53B384M16D1NK-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 6G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 6Gb (384M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,058

MT53B384M16D1Z0APWC1

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM 6GBIT DIE

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 6Gb (384M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,276

MT53B384M16D1Z0AQWC1

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM 6GBIT DIE

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 6Gb (384M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,272

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,128

MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,526

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음8,658

MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음8,838

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,472

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,598

MT53B384M32D2DS-062 XT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,934

MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음8,154

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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전압-공급: 1.1V
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장착 유형: -
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재고 있음7,272

MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
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재고 있음3,636

MT53B384M32D2NP-053 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
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패키지 / 케이스: 200-WFBGA
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재고 있음7,380

MT53B384M32D2NP-053 WT:B TR

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IC DRAM 12G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
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시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,776

MT53B384M32D2NP-062 AIT:B

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
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재고 있음6,156

MT53B384M32D2NP-062 AIT:B TR

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IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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접근 시간: -
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재고 있음2,790

MT53B384M32D2NP-062 WT:B

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IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,668

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IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
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장착 유형: Surface Mount
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공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,552

MT53B384M32D2NP-062 XT:B

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IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
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접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,780

MT53B384M32D2NP-062 XT:B TR

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IC DRAM 12G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 12Gb (384M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음4,716

MT53B384M64D4EZ-062 WT:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,508

MT53B384M64D4EZ-062 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

MT53B384M64D4EZ-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
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접근 시간: -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,066

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,226

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,588

MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,830

MT53B384M64D4NH-062 WT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 272-WFBGA
공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)

재고 있음7,812

MT53B384M64D4NH-062 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 272-WFBGA
공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)

재고 있음4,518

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Micron Technology Inc.

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IC DRAM 24G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 24Gb (384M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 272-WFBGA
공급자 장치 패키지: 272-WFBGA (15x15)

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