메모리 IC

NAND256R3A2BZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND256W3A0AN6

STMicroelectronics

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A0AN6E

STMicroelectronics

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A0AN6F

STMicroelectronics

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
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• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A0BE06

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
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• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A0BN6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
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• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
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Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
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• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
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• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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NAND256W3A0BZA6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND256W3A2BE06

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL WAFER

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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NAND256W3A2BN6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A2BN6F

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A2BN6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A2BNXE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND256W3A2BZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND256W3A2BZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND256W3A2BZAXE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND256W4A0AN6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND32GW3F2DDI6P

Micron Technology Inc.

기억

SLC NAND

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: *
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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NAND32GW3F2DDI6P TR

Micron Technology Inc.

기억

SLC NAND

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: *
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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NAND32GW3F4AN6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512R3A2AZA6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 60ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND512R3A2BZA6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 60ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (8.5x15)

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NAND512R3A2CZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512R3A2DZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512R3A2SE06

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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NAND512R3A2SN6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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NAND512R3A2SN6F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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NAND512R3A2SZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512R3A2SZA6F

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512R3A2SZAXE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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