메모리 IC

NAND512R3A3AZA6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 55VFBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 60ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 55-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 55-VFBGA (8x10)

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NAND512W3A0AN6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A0AN6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A0AV6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48WSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-UFSOP (0.606",15.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-WSOP (12x17)

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NAND512W3A2BN6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2BN6F

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2BZA6E

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (8.5x15)

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NAND512W3A2CN6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2CZA6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512W3A2DN6E

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2DZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512W3A2SE06

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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NAND512W3A2SN6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2SN6F TR

Micron Technology Inc.

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IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2SNXE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NAND512W3A2SZA6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

NAND512W3A2SZA6F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512W3A2SZAXE

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 63-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 63-VFBGA (9x11)

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NAND512W4A0AN6E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 50ns
• 접근 시간: 50ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP

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NANDAAR4N4AZBA5E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G SDR

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: *
• 메모리 유형: -
• 메모리 포맷: -
• 기술: -
• 메모리 크기: -
• 메모리 인터페이스: -
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 패키지 / 케이스: -
• 공급자 장치 패키지: -

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NDB16PFC-4DIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC DDR2 DRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR2
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 400MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 450ps
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)

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NDB16PFC-5EET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84BGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR2
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 533MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 84-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 84-FBGA (8x12.5)

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NDD36PT6-2AIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 200MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 700ps
• 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

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NDD56PT6-2AIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR
• 메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 200MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 700ps
• 전압-공급: 2.3V ~ 2.7V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 66-TSOP II

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NDL16PFJ-8KET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 800MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)

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NDL16PFJ-8KIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 800MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 96-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (8x13)

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NDL26PFG-8KIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 800MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

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NDL26PFG-9MIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 96FBGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 933MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 96-FBGA (9x13)

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NDL28PFH-8KIT

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 2GBIT 667MHZ 78BGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 800MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

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NDL28PFH-9MET

Insignis Technology Corporation

기억

IC SDRAM 2GBIT 933MHZ 78FBGA

• 제조업체: Insignis Technology Corporation
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 933MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: 0°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 78-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 78-FBGA (8x10.5)

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