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메모리 IC

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부품 번호
설명
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70T3589S200BC8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (64K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음5,742
70T3599S133BC
70T3599S133BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음5,292
70T3599S133BC8
70T3599S133BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음7,452
70T3599S133BCI
70T3599S133BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음8,442
70T3599S133BCI8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음6,228
70T3599S133BFGI
70T3599S133BFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 133MHZ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,856
70T3599S133BFGI8
70T3599S133BFGI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 133MHZ

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,762
70T3599S133BFI
70T3599S133BFI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음7,092
70T3599S133BFI8
70T3599S133BFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음6,822
70T3599S133DR
70T3599S133DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음3,834
70T3599S166BC
70T3599S166BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음4,302
70T3599S166BC8
70T3599S166BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음6,696
70T3599S166BF
70T3599S166BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음4,194
70T3599S166BF8
70T3599S166BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음3,096
70T3599S166DR
70T3599S166DR

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208PQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-BFQFP
  • 공급자 장치 패키지: 208-PQFP (28x28)
재고 있음2,790
70T3599S200BC
70T3599S200BC

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음6,930
70T3599S200BC8
70T3599S200BC8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음2,268
70T3599S200BCG
70T3599S200BCG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (128K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.4ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA
재고 있음6,678
70T3719MS133BBG
70T3719MS133BBG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 324PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (256K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 324-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 324-PBGA (19x19)
재고 있음5,850
70T3719MS166BBG
70T3719MS166BBG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 18M PARALLEL 324PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 18Mb (256K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 324-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 324-PBGA (19x19)
재고 있음5,778
70T3799MS133BBG
70T3799MS133BBG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 324PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (128K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 324-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 324-PBGA (19x19)
재고 있음5,922
70T3799MS133BBGI
70T3799MS133BBGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 324PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (128K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 324-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 324-PBGA (19x19)
재고 있음2,952
70T3799MS166BBG
70T3799MS166BBG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 324PBGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
  • 메모리 크기: 9Mb (128K x 72)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.6ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 324-BGA
  • 공급자 장치 패키지: 324-PBGA (19x19)
재고 있음2,196
70T631S10BCI
70T631S10BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음3,258
70T631S10BCI8
70T631S10BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음5,130
70T631S10BF
70T631S10BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음5,346
70T631S10BF8
70T631S10BF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
  • 접근 시간: 10ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음6,120
70T631S12BCI
70T631S12BCI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음3,816
70T631S12BCI8
70T631S12BCI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 256-LBGA
  • 공급자 장치 패키지: 256-CABGA (17x17)
재고 있음4,068
70T631S12BF
70T631S12BF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
  • 메모리 크기: 4.5Mb (256K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
  • 접근 시간: 12ns
  • 전압-공급: 2.4V ~ 2.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 208-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 208-CABGA (15x15)
재고 있음7,902